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三星西安晶圆厂量产V8（236L）3D NAND闪存
3月30日消息，据韩媒ETNEWS报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂，近期成功完成工艺制程升级，正式实现V8（236L）3D NAND闪存量产，标志着其在高端存储领域的产能与技术再获突破。
作为三星韩国本土外重要的半导体生产基地，西安晶圆厂此次工艺升级始于2024年，核心目标是改造原有V6（128L）NAND生产线，进一步提升产品性能与生产效率，强化产能竞争力，精准匹配AI时代对高性能存储设备的爆发式需求。
值得关注的是，在顺利量产V8 NAND后，三星西安晶圆厂已明确下一步规划，将瞄准286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将落地于X2工厂，计划在2026年内完成技术过渡并实现量产，持续巩固高端存储市场优势。
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